RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
26
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3486
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link