RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2124
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link