RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2440
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link