Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Причины выбрать
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 51

Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.4 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 24
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 15.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2208 2440

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905622-058.A00G 8GB

Kingston 9905622-058.A00G 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM