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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
93
En 45% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
93
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1670
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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