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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
93
Intorno 45% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
93
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1670
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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