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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
66
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
1,574.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
66
Velocità di lettura, GB/s
3,858.9
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,574.4
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
607
1604
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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