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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
51
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2443
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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