RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2988
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology 53627xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link