RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
51
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3536
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link