RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3244
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link