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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
4000
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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