RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
44
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3201
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMZ8GX3M2X2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link