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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3562
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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