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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.1
18.4
写入速度,GB/s
7.8
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3562
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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