RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2588
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link