RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
104
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
46
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2571
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link