RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3431
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link