RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3431
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link