RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
60
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
60
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
6.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1400
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link