RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
60
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
4.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
60
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
6.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1400
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link