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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
60
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.1
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
4.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
60
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
6.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
4.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1400
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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