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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2502
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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