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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2502
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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