RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3372
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link