RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3372
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link