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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
51
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
51
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2570
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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