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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
51
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
51
读取速度,GB/s
10.1
15.8
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2570
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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