RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2068
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link