RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.4
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
47
Por volta de -34% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2068
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link