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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
10.4
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
47
周辺 -34% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
35
読み出し速度、GB/s
10.4
10.0
書き込み速度、GB/秒
7.8
7.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
2068
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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