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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
47
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2765
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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