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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
37
读取速度,GB/s
10.4
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2765
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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