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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Compara
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
55
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2424
3729
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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