RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
55
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
3729
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link