RAM-Vergleich Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 10.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 8.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

45 51

Rund um -13% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2570 2237

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns