Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Puntuación global

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.8 10.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.5 8.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

45 51

En -13% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2570 2237

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns