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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Note globale
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
51
Autour de -13% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
51
45
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
12800
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2570
2237
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CAS Latency (CL) *
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