RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3819
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link