RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3819
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link