RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3026
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link