RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3026
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link