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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3026
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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