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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
54
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
30
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3026
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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