RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2943
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link