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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Puntuación global
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Puntuación global
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.2 left arrow 8.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    44 left arrow 54
    En -23% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    54 left arrow 44
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.2 left arrow 8.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 5.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2105 left arrow 1660

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

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Memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Memoria RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Memoria RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Memoria RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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