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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
63
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2912
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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