RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2912
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link