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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
63
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3427
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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