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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Compara
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
66
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
53
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
2366
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
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