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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
53
66
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
53
读取速度,GB/s
7.3
20.0
写入速度,GB/s
6.6
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1760
2366
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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